https://n.news.naver.com/article/018/0005751433?cds=news_edit
코파일럿이 텔레그램에서 하루 30건까지 무료로 사용이 가능하다길래 바로 사용신청을 하고 아래와 같이 샘플로 질문을 던져보았다.
질문 1.
AMD가 삼성전자의 3nm GAA 공정을 이용할 거라는 루머가 시장에 돌았는데 그 근거가 무엇이고 그 가능성은 어느 정도가 될까?
답변:
삼성전자가 세계 최초로 GAA (Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 공정을 양산하고 있습니다. 이는 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이며, 차세대 트랜지스터 구조인 GAA 신기술을 적용한 3나노 공정 파운드리 서비스는 전 세계 파운드리 업체 중 삼성전자가 유일합니다.
AMD의 최고경영자 리사 수는 3나노 공정에서 GAA 기술을 도입하여 신형 반도체를 양산할 것이라고 밝혔습니다. 이로 인해 삼성전자의 3나노 공정 경쟁력이 한층 강화되었습니다. GAA 기술은 트랜지스터 전류 누설을 막기 위해 채널 4면을 모두 게이트로 감싸는 기술로, 초미세 공정 기반 반도체의 전력 효율을 높이기 위한 필수 기술로 꼽힙니다.
이로 인해 AMD가 삼성전자의 3나노 GAA 공정을 이용할 가능성이 높아졌으며, 이는 삼성전자 파운드리 실적 개선에도 도움이 될 것으로 기대됩니다. 다음 달 대만에서 열리는 컴퓨텍스 2024 행사에서 더 구체적인 정보가 드러날 전망입니다.
https://semiconductor.samsung.com/kr/news-events/news/samsung-begins-chip-production-using-3nm-process-technology-with-gaa-architecture/
질문 2.
TSMC는 2nm부터 GAA를 도입하는 것으로 알려져 있는데, 2nm에 적용된 GAA를 3nm에도 바로 적용할 수 있을까?
답변:
TSMC가 2나노미터 공정에서 GAA (Gate-All-Around) 기술을 도입하고 있다는 사실은 맞습니다. 그러나 2나노미터 공정에서 적용된 GAA 기술을 3나노미터 공정에 바로 적용하는 것은 몇 가지 기술적인 고려 사항이 있습니다.
1. 프로세스 스케일링:
- 반도체 공정은 미세화되면서 기술적인 한계에 직면하게 됩니다. 2나노미터와 3나노미터는 매우 미세한 공정이며, 이 두 공정 간의 차이는 미세한 세부 사항에서도 발생할 수 있습니다.
- 2나노미터에서 GAA 기술을 적용했다고 해도, 3나노미터에서는 새로운 공정 요소를 추가하거나 기존 요소를 최적화해야 할 수 있습니다.
2. 소자 특성 변화:
- GAA 기술은 트랜지스터의 채널을 둘러싸는 게이트를 모두 감싸는 혁신적인 기술입니다. 그러나 이로 인해 소자 특성이 변화할 수 있습니다.
- 2나노미터와 3나노미터에서 동일한 GAA 기술을 사용하더라도, 전기적 특성이 다를 수 있습니다.
3. 시험 및 검증:
- 새로운 공정 기술을 도입할 때는 철저한 시험과 검증이 필요합니다. 2나노미터에서 검증된 GAA 기술을 3나노미터에 적용하기 위해서는 새로운 공정에서도 충분한 검증이 필요합니다.
결론적으로, 2나노미터에서 GAA 기술을 적용한 경우에도 3나노미터에서 바로 적용할 수 있는지는 기술적인 측면에서 다양한 요소를 고려해야 합니다. TSMC와 다른 반도체 기업들은 이러한 기술적 도전에 대응하면서 지속적으로 공정을 발전시키고 있습니다.
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사실 그리 큰 기대는 안 했는데 정확한 내용과 레퍼런스가 되는 링크까지 공유해 주니 꽤나 만족스럽다. 하지만 챗GPT와 마찬가지로 무료버전의 경우는 최신데이터를 반영하지 않으니 참고.
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